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一种控温装置，设于静电卡盘处，用于控制静电卡盘的温度，静电卡盘上可放置晶片，其特征在于，该静电卡盘上设有中心背冷气体通道和边缘背冷气体通道，且该中心背冷气体通道与边缘背冷气体通道不连通；该中心背冷气体通道和边缘背冷气体通道分别与气源连接。依据申请专利范围第1项所述的控温装置，其中，该中心背冷气体通道与晶片接触的部分紧密接触且密封良好。依据申请专利范围第2项所述的控温装置，其中，该边缘背冷气体通道的边缘与晶片接触的部分接触面稍粗糙，背冷气体可沿粗糙面部分泄漏。依据申请专利范围第2项所述的控温装置，其中，该静电卡盘的边缘设有一个或多个背冷气体泄漏孔，该背冷气体泄漏孔与边缘背冷气体通道连通。依据申请专利范围第1项所述的控温装置，其中，该控温装置被应用于蚀刻设备中。依据申请专利范围第1－5中任一项所述的控温装置，其中，该中心背冷气体通道与中心气路连接，该边缘背冷气体通道与边缘气路连接；该中心气路上设有压力强度控制器，该边缘气路上设有质量流量控制器；该中心气路和边缘气路分别与气源连接。依据申请专利范围第6项所述的控温装置，其中，该中心背冷气体通道与边缘背冷气体通道分别设有多组，相互之间互不连通；该中心气路和边缘气路分别设有一路或多路。依据申请专利范围第7项所述的控温装置，其中，该气源有一个或多个。一种利用控温装置控制晶片温度的方法，其特征在于，包括以下步骤：A、由气源向中心背冷气体通道和边缘背冷气体通道通入背冷气体，并使边缘背冷气体通道中的背冷气体部分泄漏；B、通过控制中心背冷气体通道中背冷气体的压力强度控制晶片中部的温度；并通过控制边缘背冷气体通道中背冷气体的流量控制晶片边缘部分的温度。依据申请专利范围第9项所述的控制晶片温度的方法，其中，所述的步骤A中：边缘背冷气体通道中的背冷气体通过静电卡盘边缘处的粗糙面或背冷气体泄漏孔部分泄漏；所述步骤B中：通过中心气路上设有的压力强度控制器控制中心背冷气体通道中背冷气体的压力强度；并通过边缘气路上设有的质量流量控制器控制边缘背冷气体通道中背冷气体的流量。依据申请专利范围第9项所述的控制晶片温度的方法，其中，所述的背冷气体为氦气。依据申请专利范围第9－11中任一项所述的控制晶片温度的方法，其中，所述晶片放置于蚀刻设备中的静电卡盘上。 |
