发明名称 SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A PLATED THROUGH-HOLE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
摘要 <p>Eine Anschlusskontaktschicht (4) ist zwischen Halbleiterkörpern (1, 2) angeordnet. In dem zweiten Halbleiterkörper (2) befindet sich eine Aussparung. Eine oberseitige Anschlussschicht (7) reicht bis zu der Aussparung,in der eine Metallisierung (10) vorhanden ist, die die Anschlusskontaktschicht (4) mit der Anschlussschicht (7) elektrisch leitend verbindet. In der Aussparung ist ein Polymer (8) oder eine weitere Metallisierung vorhanden.</p>
申请公布号 WO2011045153(A1) 申请公布日期 2011.04.21
申请号 WO2010EP63985 申请日期 2010.09.22
申请人 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG;SCHRANK, FRANZ 发明人 SCHRANK, FRANZ
分类号 H01L21/768;H01L23/48;H01L25/065 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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