| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Substrats aus GaN-Kristall |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE602005026737(D1) |
申请公布日期 |
2011.04.21 |
| 申请号 |
DE200560026737T |
申请日期 |
2005.01.11 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD. |
发明人 |
OKAHISA, TAKUJI |
| 分类号 |
C30B29/38;C30B29/40;C30B25/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/786;H01L27/12 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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