发明名称 Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要 Eine oder mehrere Ausführungsformen beziehen sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators wie z.B. eines Grabenkondensators. Das Verfahren weist auf: Vorsehen eines Substrats; Ausbilden einer Öffnung innerhalb des Substrats; Ausbilden einer Seitenwand-Abstandsschicht über einer Seitenwandoberfläche der Öffnung; Ausbilden einer ersten leitenden Schicht innerhalb der Öffnung nach dem Ausbilden der Seitenwand-Abstandsschicht; Entfernen der Seitenwand-Abstandsschicht; Ausbilden einer dielektrischen Schicht über der ersten leitenden Schicht innerhalb der Öffnung; und Ausbilden einer zweiten leitenden Schicht über der dielektrischen Schicht innerhalb der Öffnung.
申请公布号 DE102010037703(A1) 申请公布日期 2011.04.21
申请号 DE201010037703 申请日期 2010.09.22
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 RUHL, GUENTHER;SUBKE, KAI-OLAF;BERGER, RUDOLF
分类号 H01L21/74;H01G13/00;H01L27/04;H01L29/92 主分类号 H01L21/74
代理机构 代理人
主权项
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