发明名称 |
Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
摘要 |
Eine oder mehrere Ausführungsformen beziehen sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators wie z.B. eines Grabenkondensators. Das Verfahren weist auf: Vorsehen eines Substrats; Ausbilden einer Öffnung innerhalb des Substrats; Ausbilden einer Seitenwand-Abstandsschicht über einer Seitenwandoberfläche der Öffnung; Ausbilden einer ersten leitenden Schicht innerhalb der Öffnung nach dem Ausbilden der Seitenwand-Abstandsschicht; Entfernen der Seitenwand-Abstandsschicht; Ausbilden einer dielektrischen Schicht über der ersten leitenden Schicht innerhalb der Öffnung; und Ausbilden einer zweiten leitenden Schicht über der dielektrischen Schicht innerhalb der Öffnung.
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申请公布号 |
DE102010037703(A1) |
申请公布日期 |
2011.04.21 |
申请号 |
DE201010037703 |
申请日期 |
2010.09.22 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
RUHL, GUENTHER;SUBKE, KAI-OLAF;BERGER, RUDOLF |
分类号 |
H01L21/74;H01G13/00;H01L27/04;H01L29/92 |
主分类号 |
H01L21/74 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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