High Integrating Method of 1 Dimensional or 2 Dimensional Conductive Nanowires Using Charged Materials, and High Integrated Conductive Nanowires by the Same,申请号KR20090061816-传众专利搜索

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发明名称	High Integrating Method of 1 Dimensional or 2 Dimensional Conductive Nanowires Using Charged Materials, and High Integrated Conductive Nanowires by the Same
摘要
申请公布号	KR101029995(B1)	申请公布日期	2011.04.21
申请号	KR20090061816	申请日期	2009.07.07
申请人		发明人
分类号	B82B3/00;B82B1/00	主分类号	B82B3/00
代理机构		代理人
主权项
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