发明名称 Halbleiterbauelement mit Durchkontaktierung und Verfahren zur Herstellung einer Durchkontaktierung in einem Halbleiterbauelement
摘要 Eine Anschlusskontaktschicht (4) ist zwischen Halbleiterkörpern (1, 2) angeordnet. In dem zweiten Halbleiterkörper (2) befindet sich eine Aussparung. Eine oberseitige Anschlussschicht (7) reicht bis zu der Aussparung, in der eine Metallisierung (10) vorhanden ist, die die Anschlusskontaktschicht (4) mit der Anschlussschicht (7) elektrisch leitend verbindet. In der Aussparung ist ein Polymer (8) oder eine weitere Metallisierung vorhanden.
申请公布号 DE102009049102(A1) 申请公布日期 2011.04.21
申请号 DE20091049102 申请日期 2009.10.13
申请人 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG 发明人 SCHRANK, FRANZ
分类号 H01L23/50;H01L21/283;H01L25/065 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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