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Ein Halbleiterkörper mit einer Anschlusszelle weist eine Anschlussfläche (PAD) sowie einen ersten und einen zweiten Anschluss (VDD, VSS) zur Zuführung eines oberen und eines unteren Versorgungspotentials auf. Die Anschlusszelle umfasst eine im Halbleiterkörper aufgebaute p-Kanal-Feldeffekttransistorstruktur (PMOS), die beabstandet zu ihrem Drain-Be(PSEN, PW3) aufweist. Eine im Halbleiterkörper aufgebaute n-Kanal-Feldeffekttransistorstruktur (NMOS) weist beabstandet zu ihrem Drain-Bereich (DN) einen n-dotierten zweiten Sensorbereich (NW3, NSEN) auf. Dabei sind in der p-Kanal-Struktur (PMOS) der Drain-Bereich (DP) mit der Anschlussfläche (PAD) verbunden, ein Source-Bereich (SP) mit dem ersten Anschluss (VDD) verbunden, und der erste Sensorbereich (PW3) über ein erstes Widerstandselement (R1) mit dem zweiten Anschluss (VSS) und direkt mit ei) verbunden. Ferner sind in der n-Kanal-Struktur (NMOS) der Drain-Bereich (DN) mit der Anschlussfläche (PAD) verbunden, ein Source-Bereich (SN) elektrisch mit dem zweiten Anschluss (VSS), und der zweite Sensorbereich (NW3) über ein zweites Widerstandselement (R2) mit dem ersten Anschluss (VDD) und direkt mit einem Gate-Anschluss (GP) der p-Kanal-Struktur (PMOS) verbunden.
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