发明名称 | 用于介电膜层的阶梯覆盖与图案加载 | ||
摘要 | 本发明提供基板上膜层的阶梯覆盖性与图案加载(pattern loading)的控制方法。本发明一方面中,该方法包括使基板暴露在等离子体中的含硅前驱物下以沉积一膜层、使用一等离子体来处理所沉积的膜层以及重复该暴露步骤与处理步骤直到获得想要的膜层厚度。这些离子体可以是由含氧气体所生成。在另一方面中,该方法包括在其基板表面上具有至少一个已形成特征的基板上沉积一介电层,以及使用由含氧气体或含卤素气体所形成的等离子体来蚀刻该介电层,以在该特征上提供想要的介电层轮廓。可重复该沉积与蚀刻步骤多次循环直到提供期望的轮廓为止。 | ||
申请公布号 | CN101416293B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
申请号 | CN200780012157.4 | 申请日期 | 2007.03.30 |
申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | M·巴尔塞努;夏立群;石美仪;H·M'沙德 |
分类号 | H01L21/469(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/469(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
主权项 | 一种在反应室中的图案化基板上形成一介电膜层的方法,该方法包括:在存在等离子体的情况下使该图案化基板暴露于一含硅前驱物,以在该图案化基板上沉积一含硅膜层;从所述反应室中清洗掉所述含硅前驱物;使用由一含氧气体所形成的等离子体来处理该含硅膜层;以及重复执行在存在等离子体的情况下使该图案化基板暴露于一含硅前驱物以沉积一含硅膜层的步骤与处理该含硅膜层的步骤直到获得所期望的介电膜层厚度。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |