TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线、数据线和像素电极，像素电极设置在栅线和数据线限定的像素区域内，像素区域内开设有用于形成像素电极图形的隔断槽。制造方法包括：在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包含栅线和栅电极的图形；依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，形成包含数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；沉积钝化层，形成包含钝化层过孔和隔断槽的图形，保留光刻胶并沉积透明导电薄膜，通过离地剥离工艺形成完整的像素电极图形。本发明大幅度降低了生产制造成本，极大地提高了产品良品率和生产能力。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板，包括栅线、数据线、像素电极、栅绝缘层和钝化层，所述像素电极设置在栅线和数据线限定的像素区域内，其特征在于，所述像素区域内开设有用于形成像素电极图形的隔断槽，所述隔断槽位于像素电极的外侧边缘，将所述像素电极围设其间，所述隔断槽贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层，所述隔断槽的底部沉积有透明导电薄膜，与所述隔断槽的两侧沉积的透明导电薄膜不连接。