在半导体元件中形成隔离层的方法

摘要

一种用以在半导体元件中形成隔离层的方法，包括形成沟槽于半导体衬底中。形成可流动绝缘层，以填充该沟槽。使该可流动绝缘层凹陷。在该可流动绝缘层上沉积埋入式绝缘层，同时保持沉积溅射比率(DSR)于约22以下，以便以该埋入式绝缘层填充该沟槽，同时限制该埋入式绝缘层在该沟槽的侧面部分上的生长。

主权项

1.一种用以在半导体元件中形成隔离结构的方法，该方法包括：形成沟槽于半导体衬底中；形成可流动绝缘层，以至少填充该沟槽；蚀刻该可流动绝缘层，以部分打开该沟槽并暴露该沟槽的上侧壁；以及沉积埋入式绝缘层在该可流动绝缘层上，同时保持沉积溅射比率DSR不大于22，从而以该埋入式绝缘层填充该沟槽，同时限制该埋入式绝缘层在该沟槽的侧壁上的生长；其中在该可流动绝缘层的蚀刻后，该方法进一步包括在该沟槽的暴露的上侧壁上形成钝化层至140到180的厚度以防止在该沟槽的侧壁或邻近该沟槽的侧壁产生孔洞。