一种非带隙的高精度基准电压源

摘要

本发明公开了一种利用电子迁移率和MOS管阈值电压对温度的变化呈反向趋势的原理，实现了一款非带隙的高精度基准电压源。由三部分电路构成：(1)启动电路，其主要用来解除在电路上电过程中有可能出现的电路死锁状态；(2)基准电流产生电路，其产生一个不随电源电压变化的基准电流；(3)基准电压产生电路，其利用镜像产生的基准电流，采用电子迁移率具有的正温度系数和MOS管阈值电压具有的负温度系数相互调节的方法，实现了零温度系数的基准电压输出。本发明能够有效抑制输出随温度和电源电压变化而变化。同时其能完全兼容普通的CMOS工艺，同时具有结构简单，芯片面积小、输出范围大且精度比较高，因而能大幅降低系统成本。

主权项

高精度非带隙基准电压产生电路，其特征在于：由启动电路(1)，基准电流产生电路(2)，基准电压产生电路(3)构成；其中启动电路(1)由MOS管MS1、MS2、MS3、MS4和MS5组成，PMOS管MS1的源极和MS3的源极接电源，NMOS管MS2的源极、MS4的源极和MS5的源极接地，MS1管的栅极与基准电流产生电路(2)中M1管的栅极、漏极相连，MS1管的漏极与MS2管的栅极、MS3管的栅极、MS4管的栅极以及MS2管的漏极相连，MS3管的漏极与MS4管的漏极以及MS5管的栅极相连，MS5管的漏极与基准电流产生电路(2)中M3管的漏极、栅极以及M5管的漏极相连；基准电流产生电路(2)由PMOS管M1、M2、M3和M4，NMOS管M5、M6以及电阻R0构成，M1管的源极、M2管的源极接电源，M1管栅极、漏极短接并与M3管的源极、M2管的栅极、基准电压产生电路(3)中M7管栅极以及启动电路(1)中MS1管栅极相连，M2管的漏极与M4管的源极相连，M3管栅极、漏极短接并与M5管漏极、M4管的栅极以及基准电压产生电路(3)中M8管的栅极相连，M5管的源极连接电阻R0的一端，电阻R0的另一端接地，M6管栅极、漏极短接并与M5管的栅极以及M4管的漏极相连，M6管的源极接地；基准电压产生电路(3)包括PMOS管M7、M8、MP，NMOS管MN和电阻R1、R2，其中M7管的源极接电源，电阻R1的一端与M8管的漏极、MP管的源极相连，电阻R1的另一端与电阻R2的一端和MN管的栅极相连，电阻R2的另一端接地，MN管的源极接地，M7管的漏极连接M8管的源极，MP管的栅极、漏极短接并与MN管的漏极连在一起后作为电路的输出。