| 发明名称 | 酸蚀刻硅片工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种酸蚀刻硅片工艺。该工艺采取在酸循环槽与酸蚀刻槽之间进行溢流循环和对酸蚀刻槽进行补、排液的方式控制混合酸液浓度的动态平衡。采用本工艺可平衡混合酸液浓度来控制酸蚀刻硅片的粗糙度，可以加工粗糙度小而且稳定的硅片；同时可减少混合酸液的更换频次，由此可降低成本，提高生产效率。平稳酸蚀刻硅片表面粗糙度可以降低后续光刻加工时的能耗，也可以提高后续加工过程的自动化程度。从而满足市场对酸蚀刻硅片的高品质需求。 | ||
| 申请公布号 | CN101717938B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910228155.X | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 发明人 | 沈浩平;由佰玲;张雪囡;李翔;靳立辉;吴凯方;吕莹;孙希凯;冯硕;许建虹 |
| 分类号 | C23F1/24(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人 | 王凤英 |
| 主权项 | 1.一种酸蚀刻硅片工艺，其特征在于，采取在酸循环槽与酸蚀刻槽之间进行溢流循环和对酸蚀刻槽进行补、排液的方式控制混合酸液浓度的动态平衡，在酸蚀刻过程中，每加工一筒硅片，要先排出一定量的混合酸液，然后再补入新的混合酸液，补入的量要多于排出的量，自动排、补混合酸液参数见表1；在连续加工硅片时，除了每加工一筒硅片要自动排、补混合酸液之外，还要定期进行手动排、补混合酸液和定期补充氢氟酸，手动排、补混合酸液和补充氢氟酸的参数见表2；表1蚀刻过程中自动排、补混合酸液参数表<tables num="0001"><table><tgroup cols="5"><colspec colname="c001" colwidth="14%" /><colspec colname="c002" colwidth="24%" /><colspec colname="c003" colwidth="19%" /><colspec colname="c004" colwidth="17%" /><colspec colname="c005" colwidth="25%" /><tbody><row><entry morerows="1"> 直径(英寸)</entry><entry morerows="1"> 每筒腐蚀片数(片)</entry><entry morerows="1"> 双面去除量(μm)</entry><entry morerows="1"> 补入混合液(L)</entry><entry morerows="1"> 排出混合液(L)</entry></row><row><entry morerows="1"> 3</entry><entry morerows="1"> 不多于50</entry><entry morerows="1"> 30</entry><entry morerows="1"> 1.5</entry><entry morerows="1"> 1</entry></row><row><entry morerows="1"> 4</entry><entry morerows="1"> 不大于50</entry><entry morerows="1"> 30</entry><entry morerows="1"> 2</entry><entry morerows="1"> 1.5</entry></row><row><entry morerows="1"> 5</entry><entry morerows="1"> 不多于50</entry><entry morerows="1"> 30</entry><entry morerows="1"> 3</entry><entry morerows="1"> 2.5</entry></row><row><entry morerows="1"> 6</entry><entry morerows="1"> 不多于40</entry><entry morerows="1"> 30</entry><entry morerows="1"> 2.5</entry><entry morerows="1"> 2</entry></row></tbody></tgroup></table></tables>表2连续加工硅片时(去除30um)手动补、排混合酸液参数表<img file="FSB00000431646500011.GIF" wi="1898" he="1724" /> | ||
| 地址 | 300384 天津市华苑产业园区(环外)海泰东路12号 | ||