像素结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种像素结构及其制造方法。首先提供一基板，且基板上具有一晶体管区以及一像素区。然后形成至少一栅极电极于基板上的晶体管区、形成一绝缘层于基板上并覆盖栅极电极、形成一图案化半导体层于绝缘层表面的晶体管区及像素区以及在与栅极电极对应的部分图案化半导体层上形成一图案化第一保护层，和将未被图案化第一保护层覆盖的图案化半导体层转换为一具有掺杂的半导体层，具有掺杂的半导体层分别作为一晶体管的一源极和一像素电极，被图案化第一保护层覆盖的图案化半导体层作为源极和像素电极之间的一沟道。于此，本发明在制造过程上不但可简化制造过程步骤，又可降低材料成本。

主权项

一种制作像素结构的方法，其包括：提供一基板，该基板上具有一晶体管区以及一像素区；形成至少一栅极电极于该基板上的该晶体管区；形成一绝缘层于该基板上并覆盖该栅极电极；形成一图案化半导体层于该绝缘层表面的该晶体管区及该像素区；在与该栅极电极对应的部分该图案化半导体层上形成一图案化第一保护层；和将未被该图案化第一保护层覆盖的该图案化半导体层转换为一具有掺杂的半导体层，该具有掺杂的半导体层分别作为一晶体管的一源极和一像素电极，被该图案化第一保护层覆盖的该图案化半导体层作为该源极和该像素电极之间的一沟道。