| 发明名称 | 半导体部件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体部件，该半导体部件包括半导体主体、位于半导体主体中的沟道区、与沟道区相邻的沟道控制电极、以及位于沟道区和沟道控制电极之间的介电层，其中介电层具有负温度系数的相对介电常数εr。 | ||
| 申请公布号 | CN102024793A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN201010510520.9 | 申请日期 | 2010.08.25 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | H-J·舒尔策;F·普菲尔施 |
| 分类号 | H01L23/62(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/62(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体部件，包括：半导体主体(1)；沟道区(2)，位于半导体主体(1)中；沟道控制电极(3)，与沟道区(2)相邻；介电层(4)，位于沟道区(2)和沟道控制电极(3)之间；其中，介电层(4)包括具有负温度系数的相对介电常数εr。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||