发明名称 含有高熔点金属的烧结体溅射靶
摘要 本发明涉及含有2种以上高熔点金属的烧结体溅射靶,特别是提供能够通过改良靶组织来防止形成基体的主成分以外的金属粒子的脱落、通过减少气体成分等杂质并且提高密度来减少溅射时的起弧和颗粒的产生、并在提高成膜质量的同时使靶的加工性提高的含有高熔点金属的烧结体溅射靶。一种含有高熔点金属的烧结体溅射靶,高熔点金属包含选自W、Ta或Hf的1种以上的小于50原子%的次成分和作为余量的选自Ru、Rh或Ir的至少一种以上的主成分及不可避免的杂质,其特征在于,在所述主成分的金属组织中,具有平均粒径为100μm~500μm的粒状次成分金属相或者主成分与次成分的合金相或化合物相。
申请公布号 CN101389784B 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN200780006509.5 申请日期 2007.02.22
申请人 JX日矿日石金属株式会社 发明人 铃木了
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C22C5/04(2006.01)I;C22C27/00(2006.01)I;C22C27/02(2006.01)I;C22C27/04(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 樊卫民;郭国清
主权项 一种含有高熔点金属的烧结体溅射靶,所述高熔点金属包含选自W、Ta或Hf的一种以上小于50原子%的次成分和作为余量的选自Ru、Rh或Ir的至少一种以上的主成分及不可避免的杂质,所述溅射靶的特征在于,在所述主成分的金属组织中,具有平均粒径为100μm~500μm的次成分粒状物,该次成分粒状物由次成分金属相以及主成分与次成分的合金相或化合物相构成。
地址 日本东京都