发明名称 |
具有集成吸收器的表面发射激光器 |
摘要 |
一种具有集成吸收器的表面发射激光器(SEL)。下镜面和输出耦合器限定了SEL的激光腔。放置在激光腔中的单片增益结构包括增益区和吸收器,其中吸收器的饱和通量小于增益区的饱和通量。 |
申请公布号 |
CN1950781B |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN200580010780.7 |
申请日期 |
2005.03.25 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
I·杨;U·凯勒;H·乌诺尔德;R·帕肖塔;S·索恩 |
分类号 |
G06F1/10(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I;H01S3/098(2006.01)I |
主分类号 |
G06F1/10(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李亚非;梁永 |
主权项 |
一种表面发射激光器SEL,包括:与表面发射激光器的激光腔中的单片增益结构中的增益区集成的可饱和吸收器,该可饱和吸收器和该增益区在单一的制造过程中被组装以形成单片增益结构,该单片增益结构具有至少一耦合到向所述表面发射激光器提供能量的泵的接触器,响应于此,所述可饱和吸收器和增益区以这样一种激光模点尺寸操作:该激光模点尺寸在表面发射激光器的高斯激光模的瑞利范围内,所述增益区和可饱和吸收器在高斯激光模的瑞利范围内;所述可饱和吸收器具有相对于增益区的饱和通量降低的饱和通量;其中所述表面发射激光器发射被动锁模激光输出;其中所述可饱和吸收器包括具有量子点的区和没有量子点的区,该具有量子点的区被设置在多个量子点层中,并且可饱和吸收器的饱和通量相对于增益区的饱和通量被降低,并且其中所述多个量子点层包括第一多个层和第二多个层,该第一多个层和第一多个层都包括量子点,所述第一和第二多个层的每一个被放置在分开的驻波图案的各个峰值上,在所述第一多个层和第二多个层之间,并与所述第一多个层和第二多个层邻近的可饱和吸收器的区是没有量子点的区,并且可饱和吸收器的饱和通量相对于增益区的饱和通量被调节。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |