| 发明名称 | 用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法及其装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法及其装置，在半导体制造工艺中的磷酸湿式制程后续的清洗过程中，容易出现因气泡附着于晶片表面而导致晶片表面气泡附着之处出现新月形缺陷的问题，最终影响产品良率。本发明的方法和装置针对上述问题而提出，可以使湿式制程中气泡附着于晶片表面的几率大为降低，几乎完全避免上述的缺陷问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101465273B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200710172511.1 | 申请日期 | 2007.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐宽;汤舍予;林德成;罗仕洲 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;B08B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 一种用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法，包括以下步骤：a用氢氟酸浸泡去除所述晶片上的氧化硅，和/或用磷酸浸泡去除所述晶片上的氮化硅或氮氧化硅；其中，在所述步骤a之后还包括下列步骤：b将所述晶片背面向下倾斜地浸入去离子水中；d排除所述去离子水，并向所述晶片喷洒去离子水，以使所述晶片始终被去离子水包围；其中，步骤b～d执行一次或者一次以上；所述去离子水的温度为40～50℃。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||