| 发明名称 | 可提高真空灭弧室外部绝缘水平的真空灭弧室 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种可提高真空灭弧室外部绝缘水平的真空灭弧室，包括真空灭弧室本体，其特殊之处是：在真空灭弧室本体表面设有室温硫化硅橡胶涂层。本实用新型可使真空灭弧室的外绝缘水平有显著的提高，使其具有憎水性、耐污秽性，减小外界环境因素对其绝缘水平的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN201804789U | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN201020500770.X | 申请日期 | 2010.08.20 |
| 申请人 | 东芝白云真空开关管(锦州)有限公司 | 发明人 | 王帅;周光;郭春薇;王政 |
| 分类号 | H01H33/666(2006.01)I | 主分类号 | H01H33/666(2006.01)I |
| 代理机构 | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 一种可提高真空灭弧室外部绝缘水平的真空灭弧室，包括真空灭弧室本体，其特征是：在真空灭弧室本体表面设有室温硫化硅橡胶涂层。 | ||
| 地址 | 121001 辽宁省锦州市古塔区重庆路二段2号 | ||