| 发明名称 | 外延半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 在本发明的外延半导体衬底的制造方法的示范性实施例中，使用从化学气相沉积和分子束外延方法中选择的方法并在所述选择的方法中使用杂质源，以在半导体衬底上方生长吸杂层。在所述吸杂层上方形成外延层，且在所述外延层上可以形成半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1828836B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200610006728.0 | 申请日期 | 2006.02.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李浩;申东石;李化成;上野哲嗣;李承焕 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;H01L29/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 一种外延半导体衬底的制造方法，包括：使用从化学气相沉积和分子束外延方法中选择的方法并在所述选择的方法中使用杂质源，以在半导体衬底上方生长吸杂层，；和在所述吸杂层上方形成外延层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||