发明名称 |
一种发光二极管及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种发光二极管及其制作方法。该发光二极管依次包括衬底、半导体层、透明导电层,该发光二极管还包括第一电极和第二电极,该第一电极与半导体层电连接,该第二电极与透明导电层电连接;其中,所述衬底上表面具有若干突起,该突起间形成有凹槽;所述半导体层包括位于凹槽正上方的凹槽半导体层和位于突起正上方的突起半导体层;所述透明导电层位于半导体层之上,用于向凹槽半导体层提供电流。本发明的发光二极管由于电流主要是通过晶格缺陷较少的凹槽半导体层,而在晶格缺陷较多的突起半导体层只有少部分电流通过,大大降低了非辐射复合发生的概率,提高发光二极管的发光效率。 |
申请公布号 |
CN102024888A |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN200910238965.3 |
申请日期 |
2009.12.30 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
谢春林;苏喜林;胡红坡;张旺 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管,依次包括衬底、半导体层、透明导电层,该发光二极管还包括第一电极和第二电极,该第一电极与半导体层电连接,该第二电极与透明导电层电连接;其特征在于,所述衬底上表面具有若干突起,该突起间形成有凹槽;所述半导体层包括位于凹槽正上方的凹槽半导体层和位于突起正上方的突起半导体层;所述透明导电层位于半导体层之上,用于向凹槽半导体层提供电流。 |
地址 |
518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号 |