一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法

摘要

本发明涉及单壁纳米碳管的制备技术，具体为一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法，适于高效制备高质量、无金属杂质残留的单壁纳米碳管。该方法以离子溅射方法制备的二氧化硅薄膜为催化剂前驱体，在600～1100℃条件下通过碳源的裂解制备单壁纳米碳管。其中，碳源为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、苯、甲苯、环己烷等碳氢化合物或乙醇、甲醇、丙酮、一氧化碳等，载气为氢气或氢气与氩气、氦气等惰性气体的混合气。本发明提出以离子溅射方法得到的SiO2镀膜为催化剂前驱体，高效生长不含有任何金属杂质的高质量单壁纳米碳管，具有操作简便、成本低、与易于在硅基体上定位生长和图案化生长单壁纳米碳管的特点，对要求无金属杂质的单壁纳米碳管的应用奠定了基础。

主权项

一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法，其特征在于：该方法以离子溅射方法制备的二氧化硅薄膜为催化剂前驱体，以硅、氧化硅、氧化硅/硅、氧化铝、石英或碳化硅的平面体、球面体或任意形状的耐高温块体材料为衬底，在600～1100℃下通过碳源的裂解制备单壁纳米碳管。