发明名称 一种先进封装材料用填料的选择方法
摘要 本发明公开了一种封装材料用填料球形二氧化硅的选择方法。该方法在控制最大粒径和最小粒径的前提下,选用不同单组份球形二氧化硅填料,测试并计算其实际比表面积与理论比表面积,再计算实际比表面积与理论比表面积之比,选择2.0~3.0比值的组分作为环氧树脂体系先进封装材料的填料。使用该方法时,不需要加入其他规格的填料进行级配,环氧树脂复合材料就能体现出优越的性质。本发明大大简化了先进封装材料的制备过程,可有效地提高先进封装材料的可靠性。
申请公布号 CN102020783A 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN201010518731.7 申请日期 2010.10.25
申请人 武汉大学 发明人 袁良杰;艾常春;肖勇;冯锦华;文雯
分类号 C08K3/36(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I 主分类号 C08K3/36(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 张火春
主权项 一种封装材料用填料的选择方法,其特征在于:在控制球形二氧化硅的最大粒径不超过45微米,最小粒径不低于0.3微米的前提下,选择粒径呈正态分布的各种球形二氧化硅,计算其比表面积并测定其实际比表面积,并计算测试值与计算值的比值,选择比值为2.0 ~ 3.0的球形二氧化硅作为封装材料用填料,所述比表面积的计算值为2.73/d ,其中d为平均粒径D50值,所述实际比表面积的测定采取BET液氮吸附法。
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山