| 发明名称 | P沟道金属氧化物半导体晶体管源漏注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了P沟道金属氧化物半导体晶体管(PMOS)源漏注入方法，包括：在PMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS源漏区的低浓度B离子注入；在PMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS源漏区的F离子注入；在PMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS源漏区的高浓度BF2离子注入；在PMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS源漏区的高浓度B离子注入。本发明减弱了PMOS的短沟道效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102024701A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910195408.8 | 申请日期 | 2009.09.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周地宝 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种P沟道金属氧化物半导体晶体管PMOS源漏注入方法，该方法包括：在PMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS源漏区的低浓度硼B离子注入；在PMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS源漏区的氟F离子注入；在PMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS源漏区的高浓度氟化硼BF2离子注入；在PMOS栅极结构的侧墙两侧的半导体衬底上进行PMOS源漏区的高浓度硼B离子注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||