| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括提供基底，所述基底表面形成有顶层金属层；在所述顶层金属层上形成保护层；对所述保护层进行退火工艺；在所述保护层上形成钝化层；对所述钝化层进行光刻和刻蚀，形成焊垫开口；在所述焊垫开口内和钝化层上形成阻挡层和金属铝层；对所述金属铝层进行光刻和刻蚀，形成焊垫。本发明消除或减少了保护层中残留的针孔，防止了在灰化去除光刻胶时氧气穿过针孔对顶层金属层造成氧化，避免了由此引起的电迁移问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102024720A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910196197.X | 申请日期 | 2009.09.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 金泰圭;辛永基 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有顶层金属层；在所述顶层金属层上形成保护层；对所述保护层进行退火工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||