多晶硅膜阻值的测试方法

摘要

本发明提供一种多晶硅膜阻值的测试方法，其中，该方法包括如下步骤：a.首先将控片放入炉管中进行反应以在控片上生长一层多晶硅膜；b.对该控片执行如下子步骤：b1.对该控片执行硼离子注入制程；b2.通过快速热制程激活硼离子；b3.最后测量阻值，如果阻值符合生产规格要求，再将晶圆送入炉管生长多晶硅膜。与现有技术相比，本发明通过在控片上执行离子注入和快速热制程以获得电特性，可以及时获知该炉管的反应条件生产的多晶硅膜的阻值是否符合生产规格要求，将生产的损失减少到最低，并有效提高了生产效率。

主权项

一种多晶硅膜阻值的测试方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：a.首先将控片放入炉管中进行反应以在控片上生长一层多晶硅膜；b.对该控片执行如下子步骤：b1.对该控片执行硼离子注入制程，通过高电压离子轰击的方式将硼离子引入控片内，并在控片的指定区域获得理想的电特性；b2.通过快速热制程对控片进行毫秒级的快速升温，使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置，以便具有电活性，从而激活硼离子；b3.最后测量多晶硅膜的阻值，如果阻值符合生产规格要求，再将晶圆送入炉管生长多晶硅膜。