半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底内形成导孔，以可抛弃式材料例如非结晶的碳填充导孔，在衬底上形成覆盖导孔的介电层，进行背面蚀刻以暴露出导孔内的可抛弃式材料。沉积背面介电层覆盖暴露的导孔，然后形成小开口，并除去可抛弃式材料，这例如通过各向同性蚀刻工艺达成。可使用金属填充导孔并将其作为导体，或是以介电材料填充，此外，也可以不填充导孔而将其作为空气间隙。根据本发明，可较容易地以金属或介电材料填充导孔，且填充结果可靠，用于高深宽比导孔可得到较高元件密度；本发明可与现有工艺兼容且易于整合；本发明还可使内连线受到较低程度的RC延迟。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底；在该衬底内形成导孔；以可抛弃式材料填充该导孔；在被填充的该导孔上方形成第一介电层；将该衬底变薄，直到暴露出该可抛弃式材料；除去该可抛弃式材料；以及在该衬底的背面上形成第二介电层，覆盖该导孔。