用于功率器件的沟槽结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种用于功率器件的沟槽结构及其制造方法。本发明所公开的沟槽结构具有侧壁竖直或略微顺坡(θ＝80～90°)、氧化硅薄膜薄，底部圆滑、氧化硅薄膜厚，掺杂多晶无隙填充，界面缺陷消除，沟槽处硅片表面无台阶或者台阶小的特点。该沟槽结构的制造方法是通过干法刻蚀形成沟槽，用氧化工艺去除沟槽表面的缺陷，用氮化硅薄膜形成沟槽侧壁，通过选择氧化、湿法腐蚀和再次氧化，在沟槽内形成底部厚、侧壁薄的氧化硅薄膜，之后再无隙填充导电好的多晶硅薄膜，以刻蚀或者化学机械抛光工艺将沟槽外多余的多晶硅薄膜去除，形成沟槽型功率器件所需沟槽结构。该制造方法工艺简单、稳定，易于实现；制造出的器件具有面积小，电特性性能好等优点。

主权项

一种用于功率器件的沟槽结构，其特征是：在硅片(500)上的侧壁竖直或者侧壁略微顺坡且顺坡角度θ＝80～90°、底部圆滑的沟槽(501)中有一层选择生长的底部厚的氧化硅薄膜(502)和侧壁薄的氧化硅薄膜(503)，在沟槽(501)中氧化硅薄膜(503)之上无隙填充多晶硅薄膜(504)，在沟槽处硅片表面形成无台阶或者形成在1000埃以内的较小台阶形貌(505)，在沟槽外的硅片表面上留下一层氧化硅薄膜(506)。