| 发明名称 | 高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及制作方法。所述光电二极管包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，n阱上的感光窗口为正八边形同心环或多个正八边形同心环的阵列排布，同心环的掺杂类型为n型和p型相间。本发明的光电二极管具有灵敏度高、响应度好、选择性好的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102024863A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN201010502614.1 | 申请日期 | 2010.10.11 |
| 申请人 | 湘潭大学 | 发明人 | 金湘亮;赵永嘉 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 湘潭市汇智专利事务所 43108 | 代理人 | 颜昌伟 |
| 主权项 | 一种高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管，包括P型衬底，P型衬底上设有n阱，其特征在于：n阱上的感光窗口为多个正八边形同心环，同心环的掺杂类型为n型和p型相间。 | ||
| 地址 | 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘 | ||