| 发明名称 |
Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷基钼金属硅化片层状结构 |
| 摘要 |
本发明提出一种Al2O3陶瓷基钼金属硅化片层状结构，用于高温电真空气器件的密封及温控组件，由于该组件需要不断处于高温高真空与常温常压持续交替的恶劣环境中，使钼层与陶瓷层结合界面分裂，钼层从陶瓷基上鼓泡或粉状脱落，为解决上述钼层与Al2O3陶瓷基层容易发生界面氧化剥离问题，在氧化铝陶瓷基片上设置一层硅层，能起到钼层与Al2O3陶瓷基层之间的偶联作用，约可提高寿命2-3倍。 |
| 申请公布号 |
CN102019726A |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
| 申请号 |
CN200910035085.6 |
申请日期 |
2009.09.15 |
| 申请人 |
陈超 |
发明人 |
陈超 |
| 分类号 |
B32B9/04(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;B32B18/00(2006.01)I |
主分类号 |
B32B9/04(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
Al2O3陶瓷基钼金属硅化片层状结构，包括：钼层，硅层，Al2O3陶瓷基层，其特征是：硅层设置于钼层与Al2O3陶瓷基层之间，所述硅层厚度应大于0.002mm，小于0.005mm。 |
| 地址 |
214218 江苏省无锡市滨湖区滨湖街道南泉社区 |
