| 发明名称 | 化学机械研磨工艺的优化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学机械研磨工艺的优化方法，该方法包括：A、提供一实验样品，并按照当前的化学机械研磨CMP工艺参数对实验样品进行CMP工艺后，采用等离子体增强化学气相沉积PE-CVD工艺在实验样品表面形成氮化硅SiN；B、采用离子束沉积工艺在SiN的表面形成金属钨，然后按照冠状方向对实验样品进行切割，并获取实验样品的纵截面；C、采用透射电子显微镜TEM测量实验样品的纵截面中实验样品的参数，如果实验样品的参数不满足工艺标准，则调整当前的CMP工艺参数，并执行步骤A；如果实验样品的参数满足工艺标准，则结束流程。采用该方法能够对CMP工艺进行优化。 | ||
| 申请公布号 | CN102019577A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910195857.2 | 申请日期 | 2009.09.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 胡宗福 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨工艺的优化方法，该方法包括：A、提供一实验样品，并按照当前的化学机械研磨CMP工艺参数对实验样品进行CMP工艺后，采用等离子体增强化学气相沉积PE‑CVD工艺在实验样品表面形成氮化硅SiN；B、采用离子束沉积工艺在SiN的表面形成金属钨，然后按照冠状方向对实验样品进行切割，并获取实验样品的纵截面；C、采用透射电子显微镜TEM测量实验样品的纵截面中实验样品的参数，如果实验样品的参数不满足工艺标准，则调整当前的CMP工艺参数，并执行步骤A；如果实验样品的参数满足工艺标准，则结束流程。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||