半导体制造工艺及用于此半导体制造工艺的设备

摘要

本发明是有关于一种半导体制造工艺。首先，提供一晶圆，其中晶圆上已形成材料层及曝光后的光阻层，且晶圆具有中心区及边缘区。然后，改变曝光后的光阻层的性质，使得曝光后的光阻层在中心区的关键尺寸不同于其在边缘区的关键尺寸。在改变曝光后的光阻层的边缘性质之后，以曝光后的光阻层为掩膜，将材料层图案化，以在晶圆上形成具有均匀关键尺寸的图案化材料层。本发明还提供了一种用于此半导体制造工艺的设备。

主权项

一种半导体制造工艺，其特征在于包括以下步骤：提供一晶圆，其中该晶圆上已形成一曝光后的光阻层，且该晶圆包括一中心区及一边缘区；以及改变该晶圆的该边缘区的一性质。