| 发明名称 | 集成电路的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种集成电路的制造方法，包括形成多个磁性隧道结层；蚀刻这些磁性隧道结层，以形成一磁性隧道结单元，其中该磁性隧道结单元包含一针扎层、一隧道阻挡层位于该针扎层上、以及一自由层位于该隧道阻挡层上；以及形成一介电覆盖层在磁性隧道结单元的多个侧壁上，该些侧壁包含该针扎层的侧壁、该隧道阻挡层的侧壁与该自由层的侧壁，其中形成介电覆盖层的步骤与蚀刻磁性隧道结层的步骤是原处进行。 | ||
| 申请公布号 | CN101515566B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200810093276.3 | 申请日期 | 2008.05.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王泳弘;王郁仁;庄育灶;蔡嘉雄 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种集成电路的制造方法，其特征在于，至少包括：形成多个磁性隧道结层；蚀刻所述磁性隧道结层，以形成一磁性隧道结单元，其中该磁性隧道结单元包含一针扎层、一隧道阻挡层位于该针扎层上、以及一自由层位于该隧道阻挡层上；以及形成一介电覆盖层在该磁性隧道结单元的多个侧壁上，该些侧壁包含该针扎层的侧壁、该隧道阻挡层的侧壁与该自由层的侧壁，其中形成该介电覆盖层的步骤与蚀刻所述磁性隧道结层的步骤是原处进行。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||