发明名称 |
包括聚合物电极的铁电聚合物存储器件及其制备方法 |
摘要 |
公开了一种制备具有导电聚合物电极的铁电存储模块的方法,和根据该方法制备的铁电存储模块。铁电聚合物存储模块包括第一组层,该第一组层包括:在其中限定沟槽的ILD层(102);布置在沟槽中的第一电极层(104);布置在第一电极层(104)上的第一导电聚合物层(106);和布置在第一导电聚合物层(106)上的铁电聚合物层(108)。该模块还包括第二组层,该第二组层包括:在其中限定沟槽的ILD层(114);布置在第二组层的ILD层(114)的沟槽中的第二导电聚合物层(112);和布置在第二导电聚合物层(112)上的第二电极层(116)。第一导电聚合物层(106)和第二导电聚合物层(112)覆盖电极层(104,116),用以在电极层(104,116)和铁电聚合物层(108)之间提供反应和/或扩散阻挡。 |
申请公布号 |
CN101091255B |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN200580032639.7 |
申请日期 |
2005.09.21 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
L·洛克福德;E·安迪德 |
分类号 |
H01L27/28(2006.01)I;G11C11/22(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/28(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李静岚;梁永 |
主权项 |
一种铁电聚合物存储模块,包括:第一组层,包括:在其中限定沟槽的第一ILD层;布置在该第一ILD层的沟槽中的第一电极层;布置在该第一电极层上和在该第一ILD层的沟槽中的第一导电聚合物层;以及布置在该第一导电聚合物层上和在所述第一ILD层的沟槽中的铁电聚合物层;和第二组层,布置在所述第一组层上以与其一起限定存储单元,该第二组层包括:在其中限定沟槽的第二ILD层;布置在该第二ILD层的沟槽中的第二导电聚合物层;和布置在该第二导电聚合物层上的第二电极层;其中所述第一导电聚合物层和所述第二导电聚合物层覆盖所述第一和第二电极层并且将所述第一和第二电极层与所述铁电聚合物层分开,以在所述第一和第二电极层和所述铁电聚合物层之间提供反应阻挡和/或扩散阻挡。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |