实现同步数字序列TU3/TU12/TU11混合低阶交叉的方法和系统

摘要

一种实现同步数字序列TU3/TU12/TU11混合低阶交叉的方法和系统结构，用2X258字节数据RAM存放数据，用2X90字节的RAM存放控制字。控制矩阵RAM的地址安排是，用0-83RAM地址来存放252个字节TU12/TU11的控制字和后面252个字节TU3的控制字，前面6个字节TU3的控制字存放在RAM的84-89地址。利用构成交叉模块的每一个VC4产生3个所述控制矩阵RAM的读地址，分别对应TU3、TU12和TU11，并根据不同的输出业务类型，选择一个地址作为控制矩阵RAM的读地址，读出控制字。所述方法和系统结构相比现有技术可以节省近三分之二的控制矩阵RAM，CPU的读写次数也降低了三分之二。

主权项

一种实现同步数字序列TU3/TU12/TU11混合低阶交叉的方法，其特征在于：用2X258字节的低阶数据RAM存放数据，用2X90字节的控制矩阵RAM存放控制字；每个输入VC4产生0‑257的低阶数据RAM写地址，每个输出VC4产生控制矩阵RAM读地址；8个VC4复用在一条总线上，组成一个交叉模块；控制矩阵RAM的地址安排是，用0‑83RAM地址来存放252个字节TU12/TU11的控制字和后面252个字节TU3的控制字，前面6个字节TU3的控制字存放在RAM的84‑89地址；利用构成交叉模块的每一个VC4产生3个所述控制矩阵RAM的读地址，分别对应TU3、TU12和TU11，并根据不同的输出业务类型，选择一个地址作为控制矩阵RAM的读地址，读出控制字。