发明名称 制造半导体器件的方法
摘要 本发明提供了一种制造半导体器件的方法,该方法包括:将多个半导体芯片平面地布置在彼此面对的第一引线框架板和第二引线框架板之间,以将多个半导体芯片连接到第一引线框架板和第二引线框架板中的每个;将树脂填充在第一引线框架板和第二引线框架板之间,以密封多个管芯;对相邻的管芯之间的、包括第一引线框架板、树脂和第二引线框架板的叠层体进行第一划片,以通过切割来分离至少第一引线框架板;对于具有通过切割而分离的至少所述第一引线框架板的所述叠层体施加电镀;对相邻的管芯之间的叠层体的剩余部分进行第二划片,以将叠层体分离成单独的半导体器件。
申请公布号 CN101383296B 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN200810215156.6 申请日期 2008.09.03
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 金田芳晴
分类号 H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 孙志湧;穆德骏
主权项 一种制造半导体器件的方法,包括:将多个半导体芯片平面地布置在彼此相对放置的第一引线框架板和第二引线框架板之间,以将所述多个半导体芯片连接到所述第一引线框架板和所述第二引线框架板中的每个;将树脂填充在所述第一引线框架板和所述第二引线框架板之间,以密封所述多个半导体芯片;对相邻的半导体芯片之间的叠层体进行第一划片,以通过切割来分离至少所述第一引线框架板,其中所述叠层体包括所述第一引线框架板、所述树脂和所述第二引线框架板;对于具有通过切割而分离的至少所述第一引线框架板的所述叠层体施加电镀;对所述相邻的半导体芯片之间的所述叠层体的剩余部分进行第二划片,以将该叠层体分离成单独的半导体器件。
地址 日本神奈川