发明名称 一种静电放电保护电路
摘要 一种静电放电保护电路,本发明实施例提供的静电放电保护电路包括至少两个NMOS管;每个NMOS管的漏极连接焊盘Pad,每个NMOS管的源极经过电阻接地;每个NMOS管的衬底接地;后一个NMOS管的栅极连接前一个NMOS管的源极。当前一个NMOS管导通时,源极连接的电阻产生一个压降,为下一个NMOS管的栅极提供一个偏置电压,由于热载流子效应等的影响,当栅极上有一个偏压时,在相同漏极电压条件下能产生一个更大的流入p-well的电流,使得下一个NMOS管的寄生NPN导通,最终使所有NMOS管的寄生NPN均导通,释放ESD电流。该ESD保护电路具有良好的导通均匀性,不存在位于两边的NPN管不导通的情况。
申请公布号 CN102025136A 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN200910195958.X 申请日期 2009.09.17
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 单毅;陈晓杰
分类号 H02H9/00(2006.01)I 主分类号 H02H9/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种静电放电保护电路,其特征在于,包括:至少两个NMOS管;具体为:每个NMOS管的漏极连接焊盘Pad,每个NMOS管的源极经过电阻接地;每个NMOS管的衬底接地;后一个NMOS管的栅极连接前一个NMOS管的源极。
地址 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号