发明名称 |
一种静电放电保护电路 |
摘要 |
一种静电放电保护电路,本发明实施例提供的静电放电保护电路包括至少两个NMOS管;每个NMOS管的漏极连接焊盘Pad,每个NMOS管的源极经过电阻接地;每个NMOS管的衬底接地;后一个NMOS管的栅极连接前一个NMOS管的源极。当前一个NMOS管导通时,源极连接的电阻产生一个压降,为下一个NMOS管的栅极提供一个偏置电压,由于热载流子效应等的影响,当栅极上有一个偏压时,在相同漏极电压条件下能产生一个更大的流入p-well的电流,使得下一个NMOS管的寄生NPN导通,最终使所有NMOS管的寄生NPN均导通,释放ESD电流。该ESD保护电路具有良好的导通均匀性,不存在位于两边的NPN管不导通的情况。 |
申请公布号 |
CN102025136A |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN200910195958.X |
申请日期 |
2009.09.17 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
单毅;陈晓杰 |
分类号 |
H02H9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种静电放电保护电路,其特征在于,包括:至少两个NMOS管;具体为:每个NMOS管的漏极连接焊盘Pad,每个NMOS管的源极经过电阻接地;每个NMOS管的衬底接地;后一个NMOS管的栅极连接前一个NMOS管的源极。 |
地址 |
201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 |