| 发明名称 | 晶圆边缘薄膜结构和晶圆边缘薄膜结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶圆边缘薄膜结构，该结构包括：氟化硅FSG、氮化硅Si3N4、保护层、氮化钽TaN和铝Al；其中，保护层位于FSG和Si3N4之上，且覆盖FSG和Si3N4的整个表面；TaN位于保护层之上，且覆盖保护层的整个表面；Al位于TaN之上，且覆盖TaN的整个表面。本发明还提供了一种晶圆边缘薄膜结构的形成方法，采用该方法和结构能够避免晶圆边缘薄膜结构的剥落。 | ||
| 申请公布号 | CN102024767A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910195402.0 | 申请日期 | 2009.09.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐长春;许小兵;王晓艳;陈其道 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种晶圆边缘薄膜结构，该结构包括：氟化硅FSG、氮化硅Si3N4、保护层、氮化钽TaN和铝Al；其中，保护层位于FSG和Si3N4之上，且覆盖FSG和Si3N4的整个表面；TaN位于保护层之上，且覆盖保护层的整个表面；Al位于TaN之上，且覆盖TaN的整个表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||