| 发明名称 | 半导体接触窗结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于三维集成电路的半导体装置结构。半导体装置结构包含：具有第一表面及第二表面的基板、定义于基板且自第一表面延伸至第二表面的介层、以及位于第一表面且与介层接触之多个第一接触窗结构。多个第一接触窗结构的各个与第一表面平行的截面具有第一侧及第二侧，第一侧及第二侧中的较长侧与较短侧之比值约大于2：1。 | ||
| 申请公布号 | CN101414598B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200810135589.0 | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;邱文智;涂宏荣;吴文进 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 一种用于三维集成电路的半导体装置结构，包含：基板，具有第一表面及第二表面；介层，定义于所述基板内，且自所述第一表面延伸至所述第二表面；以及多个第一接触窗结构，位于所述第一表面并与所述介层接触，所述多个第一接触窗结构的各个与所述第一表面平行的截面具有第一侧及第二侧；其中所述第一侧及所述第二侧中的较长侧与较短侧的比值约大于2∶1。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||