| 发明名称 | 涂层材料的涂布方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种涂层材料的涂布方法，所述方法包括如下步骤：提供半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片的边缘区域的涂层厚度比区域的涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。所述涂布方法可形成厚度均匀的涂层，解决了半导体晶片边缘较厚的涂层材料对曝光机台造成污染的问题，提高了产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102019266A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910195840.7 | 申请日期 | 2009.09.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 章国伟;张尔飚;吴欣华;刘贵娟 |
| 分类号 | B05D5/00(2006.01)I;B05D7/00(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I;B05C11/02(2006.01)I;B05C11/08(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | B05D5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种涂层材料的涂布方法，包括：提供半导体晶片；向所述半导体晶片表面喷洒涂层材料；旋转所述半导体晶片以在所述半导体晶片表面形成涂层，其中所述半导体晶片边缘区域的涂层厚度比中央区域的涂层厚度大；继续旋转所述半导体晶片，同时向所述半导体晶片边缘区域的部分区域喷洒清洗液；再次旋转所述半导体晶片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||