一种接触焊盘

摘要

一种接触焊盘，属于半导体集成电路的保护电路设计领域。本发明提供的接触焊盘包括焊盘金属层，还包括：通过对有源区同时进行第一类型阱和第二类型阱的中和掺杂而形成的全耗尽层区域，所述全耗尽层区域位于所述焊盘金属层的正下方、并形成于半导体衬底的上表层。同现有技术相比，全耗尽层区域增大了接触焊盘的寄生电容的上电极与下电极之间的距离，降低了其寄生电容值；同时，该全耗尽层区域的制备可利用现有工艺中的离子注入，实现简单，无需额外的制程。

主权项

一种接触焊盘，包括焊盘金属层，其特征在于，还包括：通过对有源区同时进行第一类型阱和第二类型阱的中和掺杂而形成的全耗尽层区域，所述全耗尽层区域位于所述焊盘金属层的正下方、并形成于半导体衬底的上表层。