发明名称 |
光栅外腔半导体激光器 |
摘要 |
本发明公开一种光栅外腔半导体激光器,主要包括:半导体激光管、光栅和半波片。半导体激光管发出的光通过半波片入射到光栅,光栅的零级衍射光作为半导体激光器的输出光,光栅的一级衍射光作为反馈光沿原路返回;所述反馈光的强度通过旋转所述半波片以改变入射光的偏振方向来进行调节。通过本发明使得光栅外腔半导体激光器的反馈强度实现可调,以此实现外腔半导体的较大单模不跳模范围和较窄的线宽输出。 |
申请公布号 |
CN102025106A |
申请公布日期 |
2011.04.20 |
申请号 |
CN200910176601.7 |
申请日期 |
2009.09.23 |
申请人 |
中国计量科学研究院 |
发明人 |
臧二军;彭瑜;曹建平;李烨;方占军 |
分类号 |
H01S5/14(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/14(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李弘 |
主权项 |
一种光栅外腔半导体激光器,其特征在于,包括:半导体激光管、光栅和半波片;半导体激光管发出的光通过半波片入射到光栅,光栅的零级衍射光作为半导体激光器的输出光,光栅的一级衍射光作为反馈光沿原路返回;所述反馈光的强度通过旋转所述半波片以改变入射光的偏振方向来进行调节。 |
地址 |
100013 北京市北三环东路18号 |