| 发明名称 | 包括电阻器的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种包括电阻器的半导体器件及其制造方法的实施例。该半导体器件包括：模型图案，被布置在半导体衬底上以限定沟槽；电阻图案，包括本体区以及第一接触区和第二接触区，本体区覆盖沟槽的底部和侧壁，第一接触区和第二接触区分别在模型图案的上表面上从本体区开始延伸；以及第一线和第二线，分别接触第一接触区和第二接触区。 | ||
| 申请公布号 | CN102024822A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN201010283670.0 | 申请日期 | 2010.09.15 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴允文;金建秀;辛镇铉;沈载煌 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：模型图案，被布置在半导体衬底上以限定沟槽；电阻图案，包括本体区以及第一接触区和第二接触区，本体区覆盖沟槽的底部和侧壁，第一接触区和第二接触区分别在模型图案的上表面上从本体区开始延伸；以及第一线和第二线，分别接触第一接触区和第二接触区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||