| 发明名称 | 光刻方法 | ||
| 摘要 | 一种硅片的光刻方法，工艺步骤依次包括：气相成底膜；旋转涂胶；软烘；采用整体水平量测循环装置量测光刻胶的涂层厚度；根据整体水平量测循环装置量测所得的量侧厚度，筛选出存在不良光刻胶粘附的问题硅片；对合格硅片进行对准和曝光；曝光后烘焙；显影；坚膜烘焙；显影检查。本发明具有以下优点：1、在对准和曝光工艺前检查硅片边缘位置是否存在不良光刻胶粘附的问题，避免了进入后序工艺而导致的生产时间延误以及生产原料的浪费。2、对于浸没式曝光机，防止由于硅片表面无抗浸水涂层粘附，光刻胶与水直接接触，造成整个镜头的污染。 | ||
| 申请公布号 | CN102023477A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910195831.8 | 申请日期 | 2009.09.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 任亚然;安辉 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种硅片的光刻方法，工艺步骤依次包括：气相成底膜；旋转涂胶；软烘；采用整体水平量测循环装置量测光刻胶的涂层厚度；根据整体水平量测循环装置量测所得的量侧厚度，筛选出存在不良光刻胶粘附的问题硅片；对合格硅片进行对准和曝光；曝光后烘焙；显影；坚膜烘焙；显影检查。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||