| 发明名称 | 一种静电放电保护电路 | ||
| 摘要 | 一种静电放电保护电路，包括多个栅极接地并联的NMOS管；每个NMOS管的漏极连接焊盘Pad，栅极接地，源极接地，衬底接地；将NMOS管分组，每组包括至少一个NMOS管；每组NMOS管的四周用P-well接触包围。一种静电放电保护电路，包括多个并联的NFOD管；每个NFOD管的漏极连接焊盘Pad，源极接地，衬底接地；将NFOD管分组，每组包括至少一个NFOD管；每组NFOD管的四周用P-well接触包围。可以使每组位于中间的寄生NPN的基极电阻与位于两侧的寄生NPN的基极电阻相差较小，当有ESD脉冲加在PAD上产生漏电流流入基极电阻时，可以使所有NPN的基极-发射极正偏，所有NPN均匀导通。 | ||
| 申请公布号 | CN102024811A | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200910195957.5 | 申请日期 | 2009.09.17 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 单毅;何军 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H02H9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种静电放电保护电路，包括：多个栅极接地并联的NMOS管；每个NMOS管的漏极连接焊盘Pad，栅极接地，源极接地，衬底接地；其特征在于，将所述NMOS管分组，每组包括至少一个NMOS管；每组NMOS管的四周用P‑well接触包围。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||