| 发明名称 | 减少铝垫刻蚀工艺中铝腐蚀的方法及相应的铝垫刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种减少铝垫刻蚀工艺中铝腐蚀的方法及相应的铝垫刻蚀方法，于完成一铝垫叠层的干法刻蚀并去除光刻胶后，利用氧气与氮气的混合等离子体气流来去除刻蚀过程中产生的残留物。如此，于铝垫表面形成一层致密的氧化物层，从而避免了后期湿法刻蚀中对铝的腐蚀。另外，其于去除光刻胶的过程中，增加了等离子体刻蚀步骤中水蒸气的使用次数，光刻胶去除的同时兼顾了刻蚀过程中所产生的聚合物的去除。 | ||
| 申请公布号 | CN101590477B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200810038384.0 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣;王新鹏 |
| 分类号 | B08B7/00(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I | 主分类号 | B08B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种减少铝垫刻蚀工艺中铝腐蚀的方法，其特征是，于完成一铝垫叠层的干法刻蚀并去除光刻胶后，利用氧气与氮气的混合等离子体气流来去除刻蚀过程中产生的残留物，其中：上述去除光刻胶的过程包括至少四次利用氧气、氮气以及水蒸气的混合等离子体进行刻蚀的步骤；上述利用氧气与氮气的混合等离子体气流去除刻蚀过程中产生的残留物的工艺参数为：8mT/800TCP/180BP/500O2/200N2//30s，即压力：8mT；源功率：800W；偏置功率：180W；气体比率：氧气为500标准毫升/分，氮气为200标准毫升/分；作用时间：30s。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||