一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及其装置

摘要

本发明涉及一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及其装置，其方法包括：第一判断步骤：判断历史数据库是否有历史数据，当有历史数据时，直接取历史数据送入布局算法步骤进行计算；输入步骤，用户输入MOS管端点信息，并以相应端点坐标信息进行输出；布局算法步骤，对所述的输出的端点坐标信息，或对所述取得的历史数据，进行布局算法计算，输出MOS管计算值MOS′；  第二判断步骤：将MOS管计算值MOS′与所需要标注的目标MOS管MOS″进行是否一致的判断，当“不一致”时，反馈至所述输入步骤进行补充输入端点信息；标注存储步骤，当“一致”时，进行MOS管MOS″标注，存储已经标注的MOS管MOS″的参数信息至历史数据库。本发明提升MOS管标注的效率。

主权项

一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的装置，特征在于，包括：历史数据判断模块，用于对历史数据库是否为“空”进行判断：当“空”时输出“无历史数据”结果；当非“空”时输出“有历史数据”结果；输入数据模块，对于所述历史数据判断模块输出为“无历史数据”结果时，该输入数据模块接受用户输入的MOS管端点信息，输出该MOS管端点的坐标信息；布局算法模块，用于接受所述输入数据模块输出的端点坐标信息或接受历史数据库中的历史数据，进行布局算法计算，输出MOS管计算值MOS′；判断比较模块，用于将所述布局算法模块输出的MOS管计算值MOS′与所需要标注的目标MOS管MOS″的值进行是否一致的判断，输出“一致”或“不一致”结果，当“不一致”时，反馈至所述输入数据模块进行补充输入端点信息；标注存储模块，用于对所述判断比较模块输出为“一致”结果的目标MOS管MOS″进行标注，并存储该已经标注的目标MOS管MOS″的参数信息至历史数据库；所述的布局算法模块包括依次连接朝向计算(F1)模块、栅计算(F2)模块及端口计算(F3)模块；所述的朝向计算(F1)的内容包括：有源区的两个输入端点，当由左上至右下时，朝向为上；当由右下至左上时，朝向为下；当由右上至左下时，朝向为右；当由左下至右上时，朝向为左；所述的栅计算(F2)的内容包括：栅按朝向穿过有源区，在朝向方向高出最小线宽；在反方向，高出最小线宽的一半；所述的端口计算(F3)的内容包括：G端口位于栅上有源区外高出最小线宽部分的中心，由栅计算(F2)模块计算得到的栅将有源区分为两部分，S端口、D端口分别在该两部分的中心。