| 摘要 |
Способ пассивации и защиты граней резонатора полупроводниковых лазеров, содержащий этапы обработки, на которых ! расщепляют лазерную гетероструктуру на линейки или кристаллы лазерных диодов во внешней атмосфере, обеспечивая сколотые грани резонатора, ! помещают, по меньшей мере, одну линейку или кристалл лезерного диода в вакуум, ! удаляют поверхностный оксид и загрязнение с, по меньшей мере, первой грани резонатора с использованием ионного травления, с использованием плазмы, содержащей аргон, ! создают пассивирующий нитридный поверхностный слой на, по меньшей мере, первой грани резонатора с использованием плазмы, содержащей азот, ! добавляют, по меньшей мере, один слой блокирующего кислород и взаимную диффузию покрытия Si3N4, ! отличающийся тем, что, все этапы проводят без промежуточного контакта обрабатываемых образцов с кислородсодержащей средой, при остаточном давлении по кислороду не более 10-10 торр, при этом грани резонатора обрабатывают ионами плазмы аргона при отрицательном потенциале на образцах -5 - -10 В, грани резонатора обрабатывают ионами плазмы азота при отрицательном потенциале на образцах -20 - -30 В, напыляют слой Si3N4 толщиной 20-30 нм на каждую обрабатываемую грань резонатора при отрицательном потенциале на образцах -10 - -15 В, при этом после обработки ионами плазмы азота проводят локальный прогрев обрабатываемых граней резонатора ускоренными электронами плазмы ионов аргона при положительном потенциале на образцах 20-30 В. |
