一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的方法

摘要

本发明提供一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的新方法，该方法涉及晶体硅太阳电池技术领域，其步骤包括：在常规晶体硅太阳电池生产工艺过程第(3)步热扩散制备PN结工艺中增加硅片降温、控制温度和时间等步骤，即硅片离开高温扩散炉前先降温，其方法是使石英管中硅片温度降低200℃～300℃。具体步骤如下：a、设置热扩散工艺参数制备PN结；b、对石英管中硅片降温，使硅片温度比扩散温度低200℃～300℃，降温时间为(10～60)分钟；c、从石英管中取出硅片。采用上述新方法，能降低晶体硅热损伤，减小热应力弯曲或碎裂，减少空气中杂质对PN结的影响，提高晶体硅太阳电池的电流、电压、功率及光电转换效率，降低生产成本。

主权项

一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的方法，在常规晶体硅太阳电池生产工艺为1.硅片清洗、2.清除硅片损伤层及制备绒面、3.热扩散制备PN结、4.清除硅片周边PN结、5.清除硅片光照面的氧化层、6.制备减反射膜、7.丝网印刷背电极银浆，背电场铝浆及正面电极银浆、8.铝背场烧结及银电极合金、9.测试检验中，在第3步热扩散制备PN结工艺中增加硅片降温、控制温度和时间；扩散工艺参数包括扩散温度、扩散时间及气体流量，其特征在于，所述的热扩散制备PN结，包括以下工艺步骤：a、设置热扩散工艺参数制备PN结，热扩散磷杂质源的扩散温度为800℃～950℃，热扩散硼杂质源的扩散温度为1000℃～1500℃，扩散杂质源时间为10～40分钟；b、对石英管中硅片降温，使硅片温度比扩散温度低200℃～300℃，降温时间为10～60分钟；c、从高温扩散炉中的石英管中取出硅片。