具有增强迁移率的应变沟道的非平面体晶体管及制造方法

摘要

一种具有应变增强迁移率的三栅极体晶体管及其制造方法。本发明是一种具有应变增强迁移率的非平面晶体管及其制造方法。所述晶体管具有在半导体基片上形成的半导体主体，其中半导体主体具有侧向相对的侧壁上的顶面。在半导体主体的顶面和侧壁上形成半导体覆盖层。在半导体主体顶面上的半导体覆盖层上形成栅极介质层，并且在半导体主体的侧壁上的覆盖层上形成栅极介质层。在栅极介质层上及其周围形成具有一对侧向相对的侧壁的栅电极。在栅极电极的相对的两侧，在半导体主体内形成一对源区/漏区。

主权项

一种半导体器件，包括：在体半导体基片的有源区上的半导体主体，所述半导体主体具有顶面和侧向相对的侧壁；在所述体半导体基片上的隔离区，所述隔离区与所述有源区相邻；半导体覆盖层，形成在所述半导体主体的顶面上和侧壁上，其中所述半导体覆盖层在所述半导体主体的顶面上形成得比在所述半导体主体的侧壁上厚；栅介质层，形成在所述半导体主体的所述顶面和所述侧壁上的所述半导体覆盖层上；栅电极，具有在所述栅介质层上并围绕所述栅介质层而形成的一对侧向相对的侧壁；以及一对源区/漏区，形成在所述栅电极的相对两侧上在所述半导体主体内。