| 发明名称 | 具有凹陷沟道的晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有凹陷沟道的晶体管及其制造方法。一种晶体管包括：包括沟槽的衬底；填充该沟槽的一部分的绝缘层，该绝缘层在该沟槽的底表面的边缘部分上的厚度大于在该沟槽的底表面的中间部分上的厚度；形成在该沟槽的内侧壁上的栅极绝缘层，该栅极绝缘层具有小于该绝缘层厚度的厚度；及填充在该沟槽中的栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101211977B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200710195244.X | 申请日期 | 2007.12.04 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 赵哲晧 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种用于制造晶体管的方法，包括：在衬底中形成沟槽；在所述衬底上形成多晶硅层并填充所述沟槽；蚀刻所述多晶硅层，以使得在所述沟槽中保留所述多晶硅层的一部分，所述多晶硅层的所述部分在所述沟槽的底表面的边缘部分上的厚度大于在所述沟槽的底表面的中间部分上的厚度；氧化所述多晶硅层的保留部分，以同时在所述沟槽的底表面上形成具有V形形状的绝缘层和在所述沟槽的内侧壁上形成厚度小于所述具有V形形状的绝缘层的栅极绝缘层；和在所述具有V形形状的绝缘层上形成栅电极并填充所述沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||